为何芯片那么难制造？

1. 为何芯片那么难制造？

首先，芯片设计是最难的，要在指甲大小的空间里，放上亿个半导体元件，每个元件都是纳米量级。
其次，芯片制造也很难，因为尺寸太小，需要通过紫外线加工，俗称光刻。目前世界上能做光刻机的厂商屈指可数，一台光刻机也是数亿美元。然后资金问题，芯片业同时也是资本密集型产业，技术、资金缺一不可。

2. 3nm芯片量产，对我国到底有多大影响？

我有个朋友在龙芯中科任职，跟他聊了聊关于先进制程工艺芯片的问题，他跟我说目前国内的半导体行业没必要去追求先进工艺的技术发展，5nm、3nm之类的芯片顶多在手机上面有噱头。目前国内芯片最主要的任务就是优化老架构工艺，在制造上面进行去美化发展，不然就算研发出3nm的技术工艺，也没有办法实现量产商用。

就目前来说，3nm芯片量产对我们的行业发展影响并不大，最多也就是手机厂商拿新工艺的骁龙芯片当做噱头，营造卖点而已。先进工艺制程的芯片，基本都是用在消费电子领域，主要目的是通过消费电子产品进行盈利。反观国家政企以及商业领域用到的芯片，很少有先进工艺的产品，最多也就是28nm、14nm的技术。只要是哪家最先实现了先进技术的量产，哪家就可以依靠这个技术先进的优势在消费市场上面获得极大的利润。
其实最著名的事件，还是要属当年台积电控告三星。当时台积电的前工程师梁孟松跳槽到了三星，然后梁孟松带领三星从28nm技术直接越级发展到了14nm。反观当时的台积电，半年之后才实现了16nm工艺的量产商用。过于先进的技术，让三星抢到了大批量的仿生芯片以及高通骁龙的订单，以此获得了巨大的商业利润。台积电眼红三星的技术发展，以技术侵权为由，把三星跟梁孟松一起告上了国际法庭。最终台积电胜诉，梁孟松被逼出了三星。

另外，自从梁孟松离开三星之后，三星的技术发展明显变缓。再加上当初三星是越过20nm直接发展的14nm，在技术底蕴跟工艺的稳定性上面，不如台积电有优势。随着后续技术的不断更新，三星的工艺也就一直被台积电压了一头。我国目前量产商用的先进制程工艺芯片，也就剩下华为的麒麟了。之前华为的麒麟9000，就是台积电代工的5nm芯片，也是国内消费电子领域最先进的自主化设计的芯片。后来华为受到美国四轮制裁，在制造工艺上面卡死了华为麒麟芯片的代工生产。
所以说，3nm芯片的量产，对我国的影响并不大，只能在手机等电子产品上面进行呈现。而对于我国半导体领域影响最大的因素，就是在于制造生产的设备材料以及芯片的底层架构。可以这么说，目前国内的所有半导体厂商，能称得上自研的，只有龙芯一家。其他类似于海光、飞腾、兆芯、鲲鹏、麒麟、虎贲都是采用的公版架构，除了arm就是x86。而龙芯的架构跟指令集都是自研的，包括申威，也有自己的指令集，但是架构还是美国的架构。

总结：相对于国内在消费电子领域追求先进的制程工艺，还不如去研发自主技术来的有用。如果中国能够在高科技领域超过他们，他们的高福利，长假期也都会荡然无存。

3. 为什么说3nm是现在芯片制程的“天花板”？

国民“民间科学”津津乐道的那个“碳基芯片”，寄托了太多中国普通老百姓的热情，但很可惜，碳纳米管晶体管（碳基芯片的学名）无法承担中国人民的热情，这东西是不是下一代集成电路的希望都还说不清呢，即便有突破性发展，这也是二三十年以后的半导体材料，一时半会儿是指望不上的。



再比如，国内在半导体设计软件和半导体制造方面的短板太多也差距太大了，以至于追的都没有领跑跑的快，那么怎么追？以台积电三星为例，它们根本不需要什么国家投资，台积电和三星靠自己在2020年就投资了555亿美元。中国任何一家半导体公司一年能拿出多少钱来搞发展？就算拿国家的补贴资金，一年能有几百亿美元投资到一家公司吗？就不说其他方面的投入了，仅仅是钱这一条，国内就没有一家半导体公司能投那么多钱。那么落后的一方连钱投的都没有领先一方多，怎么可能有追赶上甚至超越呢？

科技这东西不能有短板存在，一个短板存在就会牵连一片形成一个深坑，一个深坑就会牵连整体科技的进步，科技是走“桶板效应”的。因此，芯片这东西不研发，最终会牵连整体科技进步。

但芯片这东西的研发又不是所谓“集中力量办大事”能解决的。芯片的制造产业链非常长，有几百个环节，任何一个卡住就全线卡住了。而芯片这几百个环节中，有很多环节其实市场并不大，全球可能加到一起也就几十亿美元（甚至只有几亿美元）的规模，有一两家供应商就足够了。因此，中国在世界之外，自己搞一个芯片产业链一定是效率低下，亏本连天的事情。原因也很简单，你研发的费用可能永远也没办法通过市场弥补回来，因为市场不需要那么多的产品。而且，这种亏本研究的环节可能还不止一个，合在一起就变成无底洞了，让中国的芯片产业链一定是全世界成本最贵的那一个，没有任何国际竞争能力。这种永远趴在中国经济上吸血的产业，搞得越大，对中国经济的毁灭就越厉害。

4. 世界上最好的3nm芯片

世界上最好的3nm芯片是苹果芯片代工商台积电预计将从2022年第四季度开始量产3nm芯片。
据台媒称，现在台积电已经开始试产3nm芯片，目前计划在明年第四季度进入量产。此前有媒体报道称，苹果的目标是在Mac、iPhone以及iPad上使用3nm芯片。
但是，如果台积电能提前完成量产3nm芯片计划的话，苹果明年要发布的iPhone 14系列就有可能会使用上这款3nm芯片。

相关厂房已在建：
据《电子时报》报道，台积电将在2023年实现3nm工艺的处理器量产，目前相关的工厂已经开始建设。
台积电在台湾南部科技园获批30公顷土地，已经开始建设其3nm工艺晶圆工厂，计划在2023年实现3nm处理器大规模量产。
以上内容参考手机中国-更小更强！传台积电开始试产3nm芯片 苹果后年能用上

5. 芯片巨头突飞猛进，7nm技术尚未量产，3nm芯片已定档2023年

  近两年，英特尔在CPU市场地位逐渐受到威胁，   AMD凭借新架构和新工艺，强势崛起，不断蚕食英特尔的市场份额   ，这让英特尔不得不加快技术升级的步伐。 
    7月2号，外媒发布了一份关于台积电下一代生产技术的报告。内容显示，   英特尔和苹果都计划使用台积电即将推出的3nm工艺生产芯片。  
       值得一提的是   ，目前英特尔7nm工艺还没有实现量产，而按照计划台积电3nm产线将会在2022年下半年投入使用   ，首批产能苹果会全部包揽。不出意外的话，英特尔的3nm芯片将会定档2023年。若是一切属实，英特尔的技术可以用突飞猛进来形容。 
       事实上，虽然台积电没有进行回应。但英特尔已向日经新闻证实，   英特尔的确在与台积电共同开发2023年的产品阵容   。只不过，英特尔拒绝透露产品所涉及的技术。 
    虽然英特尔已经被7nm处理器挡在门外多年，但就英特尔公司实力而言，设计更先进的工艺芯片并非是难事。 
        英特尔和台积电的工艺命名标准并不相同，台积电3nm技术，对于英特尔而言可能只是5nm技术   。因此，适用于台积电3nm工艺的芯片，英特尔完全有能力完成设计。 
    另外，就结果来看，倘若台积电和英特尔合作顺利，那么对彼此来讲堪称双赢。台积电获得英特尔先进工艺订单后，   先进工艺产线可以长时间实现满载，减轻对苹果的依赖，有利于公司更稳定的发展。  
       对于英特尔而言，借助先进工艺帮忙，英特尔芯片竞争力将可以大幅增强，   在CPU市场或能够从AMD手中抢回属于自己的市场份额。  
    毕竟 ，英特尔在工艺落后的情况下，CPU性能仍是可以与友商竞品抗衡。倘若两家厂商芯片制造工艺相同，英特尔芯片在性能方面势必会大胜对手。 
       根据台积电方面给出的消息   ，基于3nm工艺打造的芯片，性能与基于5nm工艺打造的处理器将会有10%到15%的提升，而且还能降低25%到30%的功耗。使用体验提升，肉眼可见。  
    据悉，英特尔目前至少有两个 3nm项目在进行，分别是为笔记本和数据服务中心设计芯片。可以预见，在不久的未来，英特尔就会在芯片市场展开全面反击。 

6. 全球首个3nm芯片将量产，三星造？

 三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周内）使用其 3GAE （早期 3 纳米级栅极全能）制造工艺开始大批量生产。该公告不仅标志着业界首个3nm级制造技术，也是第一个使用环栅场效应晶体管（GAAFET）的节点。
   三星在财报说明中写道：“通过世界上首次大规模生产 GAA 3 纳米工艺来增强技术领先地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of our advanced processe）
   三星代工的 3GAE 工艺技术 是该公司首个使用 GAA 晶体管的工艺，三星官方将其称为多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)。
      三星大约在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 节点。三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。
      理论上，与目前使用的 FinFET 相比，GAAFET 具有许多优势。在 GAA 晶体管中，沟道是水平的并且被栅极包围。GAA 沟道是使用外延和选择性材料去除形成的，这允许设计人员通过调整晶体管通道的宽度来精确调整它们。通过更宽的沟道获得高性能，通过更窄的沟道获得低功耗。这种精度大大降低了晶体管泄漏电流（即降低功耗）以及晶体管性能可变性（假设一切正常），这意味着更快的产品交付时间、上市时间和更高的产量。此外，根据应用材料公司最近的一份报告，GAAFET 有望将cell面积减少 20% 至 30% 。
      说到应用，它最近推出的用于形成栅极氧化物叠层的高真空系统 IMS（集成材料解决方案）系统旨在解决 GAA 晶体管制造的主要挑战，即沟道之间的空间非常薄以及沉积多晶硅的必要性。在很短的时间内在沟道周围形成层栅氧化层和金属栅叠层。应用材料公司的新型 AMS 工具可以使用原子层沉积 (ALD)、热步骤和等离子体处理步骤沉积仅 1.5 埃厚的栅极氧化物。高度集成的机器还执行所有必要的计量步骤。
   三星的 3GAE 是一种“早期”的 3nm 级制造技术，3GAE 将主要由三星 LSI（三星的芯片开发部门）以及可能一两个 SF 的其他 alpha 客户使用。请记住，三星的 LSI 和 SF 的其他早期客户倾向于大批量制造芯片，预计 3GAE 技术将得到相当广泛的应用，前提是这些产品的产量和性能符合预期。
   过渡到全新的晶体管结构通常是一种风险，因为它涉及全新的制造工艺以及全新的工具。其他挑战是所有新节点引入并由新的电子设计自动化 (EDA) 软件解决的新布局方法、布局规划规则和布线规则。最后，芯片设计人员需要开发全新的 IP，价格昂贵。
    外媒：三星3nm良率仅有20% 
   据外媒Phonearena报道，三星代工厂是仅次于巨头台积电的全球第二大独立代工厂。换句话说，除了制造自己设计的 Exynos 芯片外，三星还根据高通等代工厂客户的第三方公司提交的设计来制造芯片。
   Snapdragon 865 应用处理器 (AP) 由台积电使用其 7nm 工艺节点构建。到了5nm Snapdragon 888 芯片组，高通回到了三星，并继续依靠韩国代工厂生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1。这是目前为三星、小米、摩托罗拉制造的高端 Android 手机提供动力的 AP。
   
   但在 2 月份，有报道称三星 Foundry 在其 4nm 工艺节点上的良率仅为 35%。这意味着只有 35% 的从晶圆上切割下来的芯片裸片可以通过质量控制。相比之下，台积电在生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1 Plus 时实现了 70% 的良率。换句话说，在所有条件相同的情况下，台积电在同一时期制造的芯片数量是三星代工的两倍。
   这就导致台积电最终收到高通的订单，以构建其剩余的 Snapdragon 8 Gen1 芯片组以及 Snapdragon 8 Gen 1 Plus SoC。我们还假设台积电将获得制造 3nm Snapdragon 8 Gen 2 的许可，即使高通需要向台积电支付溢价以让该芯片组的独家制造商在短时间内制造足够的芯片。
   尽管三星最近表示其产量一直在提高，但《商业邮报》的一份报告称，三星 3nm 工艺节点的产量仍远低于公司的目标。虽然三星代工厂的全环栅极 (GAA) 晶体管架构首次推出其 3 纳米节点，使其在台积电（台积电将推出其 2 纳米节点的 GAA 架构）上处于领先地位，但三星代工厂在其早期 3 纳米生产中的良率一直处于10% 至 20%的范围 。
   这不仅是三星需要改进的极低良率，而且比 Sammy 在 4nm Snapdragon 8 Gen 1 中所经历的上述 35% 良率还要糟糕。
   Wccftech 表示，据消息人士称，三星将从明年开始向客户发货的 3nm GAA 芯片组的第一个“性能版本”实际上可能是新的内部 Exynos 芯片。据报道，三星一直在为其智能手机开发新的 Exynos 芯片系列，但现阶段尚不清楚它们是否会使用 3nm GAA 工艺节点制造。
   
   台积电和三星很快就会有新的挑战者，因为英特尔曾表示，其目标是在 2024 年底之前接管行业的制程领导地位。它还率先获得了更先进的极紫外 (EUV) 光刻机。
   第二代 EUV 机器被称为High NA 或高数值孔径。当前的 EUV 机器的 NA 为 0.33，但新机器的 NA 为 0.55。NA 越高，蚀刻在晶圆上的电路图案的分辨率就越高。这将帮助芯片设计人员和代工厂制造出新的芯片组，其中包含的晶体管数量甚至超过了当前集成电路上使用的数十亿个晶体管。
   它还将阻止代工厂再次通过 EUV 机器运行晶圆以向芯片添加额外的功能。ASML 表示，第二代 EUV 机器产生的更高分辨率图案将提供更高的分辨率将使芯片特征小 1.7 倍，芯片密度增加 2.9 倍。
   通过首先获得这台机器，英特尔将能够朝着从台积电和三星手中夺回制程领导地位的目标迈出一大步。
    台积电3nm投产时间曝光 
   据台媒联合报报道，在晶圆代工三强争霸中，台积电和三星在3纳米争战，始终吸引全球半导体产业的目光。据调查，一度因开发时程延误，导致苹果新一代处理器今年仍采用5纳米加强版N4P的台积电3纳米，近期获得重大突破。台积电决定今年率先以第二版3纳米制程N3B，今年8月于今年南北两地，即新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效电晶体（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。
   据台积电介绍，公司的3纳米（N3）制程技术将是5纳米（N5）制程技术之后的另一个全世代制程，在N3制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及电晶体技术。相较于N5制程技术，N3制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。N3制程技术的开发进度符合预期且进展良好，未来将提供完整的平台来支援行动通讯及高效能运算应用，预期2021年将接获多个客户产品投片。此外，预计于2022下半年开始量产。
   而如上所述，晶圆18厂将是台积电3nm的主要生产工厂。资料系那是，台积电南科的Fab 18是现下的扩产重心，旗下有P1 P4共4座5纳米及4奈厂，以及P5 P8共4座3纳米厂，而P1 P3的Fab 18A均处于量产状态，至于P4 P6的Fab 18B厂生产线则已建置完成，而Fab 18B厂，即3纳米制程产线，早在去年年年底就已开始进行测试芯片的下线投片。
   
   在芯片设计企业还在为产能“明争暗斗”的时候，晶圆制造领域又是另外一番景象。对晶圆制造厂来说，眼下更重要的是3nm的突破。谁率先量产了3nm，谁就将占领未来晶圆制造产业的制高点，甚至还会影响AMD、英伟达等芯片巨头的产品路线图。
   毫无疑问，在3nm这个节点，目前能一决雌雄的只有台积电和三星，但英特尔显然也在往先进制程方面发力。不过从近日的消息来看，台积电和三星两家企业在量产3nm这件事上进行的都颇为坎坷。Gartner 分析师 Samuel Wang表示，3nm 的斜坡将比之前的节点花费更长的时间。
   近日，一份引用半导体行业消息来源的报告表明，据报道，台积电在其 3nm 工艺良率方面存在困难。消息来源报告的关键传言是台积电发现其 3nm FinFET 工艺很难达到令人满意的良率。但到目前为止，台积电尚未公开承认任何 N3 延迟，相反其声称“正在取得良好进展”。
   众所周知，台积电3nm在晶体管方面采用鳍式场效应晶体管（FinFET）结构，FinFET运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。其实，FinFET晶体管走在3nm多多少少已是极限了，再向下将会遇到制程微缩而产生的电流控制漏电等物理极限问题，而台积电之所以仍选择其很大部分原因是不用变动太多的生产工具，也能有较具优势的成本结构。特别对于客户来说，既不用有太多设计变化还能降低生产成本，可以说是双赢局面。
   从此前公开数据显示，与5nm芯片相比，台积电3nm芯片的逻辑密度将提高75%，效率提高15%，功耗降低30%。据悉，台积电 3nm 制程已于2021年3 月开始风险性试产并小量交货，预计将在2022年下半年开始商业化生产。
      从工厂方面来看，中国台湾南科18厂四至六期是台积电3nm量产基地。客户方面，从上文可以看出，英特尔、苹果、高通等都选择了台积电。大摩分析师Charlie Chan日前发表报告称，台积电在2023年的3nm芯片代工市场上几乎是垄断性的，市场份额接近100%。
      不同于台积电在良率方面的问题，三星在3nm的困难是3 纳米GAA 制程建立专利IP 数量方面落后。据南韩媒体报道，三星缺乏3 纳米GAA 制程相关专利，令三星感到不安。
   三星在晶体管方面采用的是栅极环绕型 (Gate-all-around，GAA) 晶体管架构。相比台积电的FinFET晶体管，基于GAA的3nm技术成本肯定较高，但从性能表现上来看，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，满足一定的珊极宽度要求，可以表现为同样工艺下，使用GAA架构可以将芯片尺寸做的更小。
       平面晶体管、FinFET与GAA FET 
   与5nm制造工艺相比，三星的3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。三星在去年6月正式宣布3nm工艺制程技术已经成功流片。此外，三星还曾宣布将在 2022 年推出 3nm GAA 的早期版本，而其“性能版本”将在 2023 年出货。
   目前，在工厂方面，此前有消息称三星可能会在美国投资170亿美元建设3nm芯片生产线。在客户方面，三星未有具体透露，但曾有消息称高通、AMD 等台积电重量级客户都有意导入三星 3nm 制程，但介于上述提到的韩媒报道高通已将其3nm AP处理器的代工订单交给台积电，三星3nm客户仍成谜。
   在Pat Gelsinger于去年担任英特尔CEO之后，这家曾经在代工领域试水的IDM巨头又重新回到了这个市场。同时，他们还提出了很雄壮的野心。
   在本月18日投资人会议上，英特尔CEO Pat Gelsinger再次强调，英特尔2nm制程将在2024年上半年可量产，这个量产时间早于台积电，意味2年后晶圆代工业务与台积电竞争态势会更白热化。
   虽然在3nm工艺方面，英特尔没有过多的透露，但是Digitimes去年的研究报告分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。
     在工厂方面，英特尔曾强调将斥资800亿欧元在欧洲设厂，英特尔德国负责人Christin Eisenschmid受访时透露，将在欧洲生产2nm或推进更小的芯片。英特尔将2nm作为扩大欧洲生产能力的重要关键，以避免未来在先进技术竞争中落后。
   总的来说，在3nm节点，台积电、三星和英特尔谁会是最后的赢家可能只有交给时间来判定，但从目前情势来看，台积电或略胜一筹。
   
   3nm已经到了摩尔定律的物理极限，往后又该如何发展？这已经成为全球科研人员亟待寻求的解法。目前，研究人员大多试图在晶体管技术、材料方面寻求破解之法。
   上述三星在3nm制程中使用的GAA晶体管就是3nm后很好的选择，GAA设计通道的四个面周围有栅极，可减少漏电压并改善对通道的控制，这是缩小工艺节点时的关键。据报道，台积电在2nm工艺上也将采用GAA晶体管。
   纳米线是直径在纳米量级的纳米结构。纳米线技术的基本吸引力之一是它们表现出强大的电学特性，包括由于其有效的一维结构而产生的高电子迁移率。
   最近，来自 HZDR 的研究人员宣布，他们已经通过实验证明了长期以来关于张力下纳米线的理论预测。在实验中，研究人员制造了由 GaAs 核心和砷化铟铝壳组成的纳米线。最后，结果表明，研究人员确实可以通过对纳米线施加拉伸应变来提高纳米线的电子迁移率。测量到未应变纳米线和块状 GaAs 的相对迁移率增加约为 30%。研究人员认为，他们可以在具有更大晶格失配的材料中实现更显着的增加。
   最近，英特尔一项关于“堆叠叉片式晶体管（stacked forksheet transistors）”的技术专利引起了人们的注意。
   英特尔表示，新的晶体管设计最终可以实现3D和垂直堆叠的CMOS架构，与目前最先进的三栅极晶体管相比，该架构允许增加晶体管的数量。在专利里，英特尔描述了纳米带晶体管和锗薄膜的使用，后者将充当电介质隔离墙，在每个垂直堆叠的晶体管层中重复，最终取决于有多少个晶体管被相互堆叠在一起。
      据了解，英特尔并不是第一家引用这种制造方法的公司，比利时研究小组Imec在2019年就曾提出这个方法，根据 Imec 的第一个标准单元模拟结果，当应用于 2nm 技术节点时，与传统的纳米片方法相比，该技术可以显着提高晶体管密度。
   垂直传输场效应晶体管（VTFET）由IBM和三星共同公布，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术。新技术将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的将晶体管平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。
   据 IBM 和三星称，这种设计有两个优点。首先，它将允许绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到 1 纳米阈值之外。同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。他们表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。
   其实，对于3nm以后先进制程如何演进，晶体管制造只是解决方案的一部分，芯片设计也至关重要，需要片上互连、组装和封装等对器件和系统性能的影响降至最低。
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7. 攻下6nm芯片，拿到全球3项第一，国产芯片实现突围

  在手机芯片领域，或许大家耳熟能详的就那么几家，首先就是高通芯片了，它主要供给小米、三星和vivo等，是高端安卓手机的主要芯片供应商，约有一半的营收源自中国市场。其次就是联发科芯片，4G时代竞争力不足，5G时代卷土重来，旗下的6nm天玑芯片被多家国产手机巨头采用，是芯片市场不可或缺的组成部分。其实除了它们之外，殊不知国内还有一家默默无闻的芯片巨头，在芯片领域耕耘二十年载，它就是紫光展锐公司。 
            5G时代到来之后，紫光展锐开始涉足5G芯片，开始扭转了4G时代落后的局面，成为了5G芯片的领导品牌，旗下的芯片也被广泛应用于电动 汽车 、手机和物联网设备等。来自CINNO Research最新发布的《中国手机通信产业数据观察报告》数据，紫光展锐已在中国智能手机SOC排名前五，   具体数据方面，同比增长幅度达到6000%，大幅领先联发科、高通和海思芯片，成为了国产芯片中的最大一匹黑马   ，为国产芯片行业注入新鲜血液。 
       紫光展锐芯片大幅增长的背后，主要也是市场对智能手机和平板需求量增加，紫光展锐成功抓住契机，紫光展锐处理器在智能手机业务上实现50%的营收增长，平板产品出货量同比增长100%。尤其是智能儿童手表领域，其芯片市占率超60%，力压高通成为行业第一。紫光展锐也在开发下一代的5G soc芯片，目前已经设计出6nm EUV 5G芯片唐古拉T770，这颗芯片的性能与骁龙750G相当，计划在7月份量产。 
       为了支持国产芯片产业发展，国内头部厂商也相继采购紫光展锐的芯片，比如说荣耀畅玩20这台手机，采用的就是紫光展锐虎贲T610处理器，又比如海信的墨水屏手机，AMG三防手机等，均和紫光展锐达成合作，后续将会有越来越多的品牌采用。从芯片设计能力来说，紫光展锐已经和世界一众厂商齐名，也是目前中国的前五大芯片设计公司，在海思面临难题的情况下，紫光展锐正在慢慢接过交接棒，不愧是低调的芯片巨头。 
       除了取得上述成绩之外，紫光展锐在低速物联网市场中的占有率达到50%以上，同样位列世界第一，   展锐在功能机市场的芯片占有率达到了76.92% ，同样是全球第一   。看得出来，紫光展锐不断给国产芯片创造惊喜，旗下的芯片广泛被应用于可穿戴设备和功能机上。此外，展锐还宣布与亮风台达成合作，开始进入5G AR智能眼镜的研发工作，通过创新的5G+AI融合技术提升产品智能体验。 
       不得不说紫光展锐这几年进步神速，芯片涵盖了5G、移动通信、物联网、AIOT等众多领域，在紫光展锐的带动作用下，国产芯片实现突围，正在和高通、intel等巨头缩小差距，国芯未来可期。 

8. 全球第三芯片巨头落幕，7nm芯片难突破，关停700亿厂房

众所周知，在全球 科技 发展史中我国一直都扮演着追随者的角色。毕竟相比于其他欧美国家，我国在 科技 领域的布局较晚，因此也使得我国庞大的电子产业结构，在过去很长一段时间都需要依赖于进口其他国家的核心技术和零部件，而在这个过程中，我国企业不仅没有议价权，同时还要面临着卡脖子的情况。
  
 
  
 以芯片为例子，大家都知道，芯片的应用产品较为广泛，包括航天航空，通信电子设备都无法离开芯片的支持，只有芯片才能决定设备的性能表现。纵观当前全球芯片市场格局，核心技术和话语权基本都掌握在美国手中，毕竟绝大部分知名芯片公司都来自于美国。
  
 
  
 可是需要知道的是，物竞天择，适者生存的道理普遍存在，即便美国在芯片领域领跑世界，但是也有着知名的芯片巨头从神坛跌落，其中格芯便是最为典型的例子。
  
 
  
 据悉，格芯的全称为“格罗方德半导体股份有限公司”，是2009年3月成立于美国硅谷桑尼维尔市的一家半导体研发及生产公司，依托雄厚的资本支持，格芯经过短短几年的发展，就一跃成为了仅次于三星及台积电的世界第三大芯片代工厂，其实力不容小觑。
  
 
  
 而在2018年，格芯又做了一个重大决定，准备攻关7nm制程工艺，这一下子让研发资金的门槛上来了，突破关键性技术需要的是大量的资金作为支持，但是格芯连续亏损已经无法负担这沉重的研发资金，最终只能宣布放弃7nm，开始转向半导体客制化的制程工艺。
  
 
  
 据5月17日消息，成都格芯下达了关于停工、停业的通知，通知中，格芯称：鉴于公司运营现状，公司将于本通知发布之日起正式关停！
  
 
  
 在员工问题方面，成都格芯现在只剩下74名员工，而且还在鼓励他们辞职。也就是说格芯已经准备完全放弃成都的这座工厂了，并且从此撤离国内市场。格芯耗资700亿元的超级工厂仅仅运行了不过两年就面临着关停的结局，不禁让人感到唏嘘。